随着世界上科技的进步，各个国家对石油和天然气勘探、地热监测、工业引擎、航天、航空、核能等领域的科学发展要求越来越迫切，尤其是在极端条件下可以稳定可靠工作的半导体器件的需求日益增长，所以，攻克材料在极端条件下的各种弊端与短板，制备高频、耐辐射、耐高温半导体器件已成为亟待解决的难点与热点。目前实用化的硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs半导体器件，其最高工作温度限于200 oC以内，硅基的本征载流子浓度随着温度的升高而不断升高，掺杂载流子浓度受到抵制，在半导体的温度载流子效应和结温效应共同作用下，到150~200 oC时硅基是完全导电的状态，器件半导体性能崩溃。其中，半导体材料的禁带宽度决定了器件安全工作的最高温度。同时，器件的抗辐射能力也和禁带宽度有关，禁带宽度越宽，抗辐射能力越强。本项目在异质结器件的设计上提出选用p型金刚石和WO3构成器件的核心部分，金刚石和WO3的微观结构及电子运输性能上都具有较大的可调节性，并通过硼原子或其他材料的掺杂，改变其载流子浓度，调节禁带宽度；并将该结构制备成高温半导体器件，检验其高温下的电子传输性能，构建高温电子器件。石油和天然气勘探、地热监测、工业引擎、航天、航空、核能等领域极端条件领域。
